LED外延片

LED外延片的寫法

LED外延片介紹

目前LED外延片生長技術(shù)主要采用有機金屬化學(xué)氣相沉積方法，這種方法的引用是基于LED外延生長基本原理，LED外延生長的基本原理是在一塊加熱至適當(dāng)溫度的襯底基片（主要有藍寶石和SiC，Si）上，氣態(tài)物質(zhì)In,Ga,Al,P有控制的輸送到襯底表面，生長出特定單晶薄膜。

生產(chǎn)制作

LED外延片的生產(chǎn)制作過程是非常復(fù)雜，展完外延片，接下來就在每張外延片隨意抽取九點做測試，符合要求的就是良品，其它為不良品（電壓偏差很大，波長偏短或偏長等）。LED良品的外延片就要開始做電極（P極，N極），接下來就用激光切割外延片，然后百分百分撿，根據(jù)不同的電壓，波長，亮度進行全自動化分檢，也就是形成led晶片（方片）。然后還要進行目測，把有一點缺陷或者電極有磨損的，分撿出來，這些就是后面的散晶。此時在藍膜上有不符合正常出貨要求的晶片，也就自然成了邊片或毛片等。不良品的外延片（主要是有一些參數(shù)不符合要求），就不用來做方片，就直接做電極（P極，N極），也不做分檢了，也就是目前市場上的LED大圓片（這里面也有好東西，如方片等）。

半導(dǎo)體制造商主要用拋光Si片（PW）和外延Si片作為IC的原材料。20世紀80年代早期開始使用外延片，它具有標(biāo)準(zhǔn)PW所不具有的某些電學(xué)特性并消除了許多在晶體生長和其后的晶片加工中所引入的表面/近表面缺陷。

歷史上，外延片是由Si片制造商生產(chǎn)并自用，在IC中用量不大，它需要在單晶Si片表面上沉積一薄的單晶Si層。一般外延層的厚度為2～20μm，而襯底Si厚度為610μm（150mm直徑片和725μm（200mm片）。

外延沉積既可（同時）一次加工多片，也可加工單片。單片反應(yīng)器可生產(chǎn)出質(zhì)量的外延層（厚度、電阻率均勻性好、缺陷少）；這種外延片用于150mm“前沿”產(chǎn)品和所有重要200mm產(chǎn)品的生產(chǎn)。

LED外延產(chǎn)品應(yīng)用于4個方面，CMOS互補金屬氧化物半導(dǎo)體支持了要求小器件尺寸的前沿工藝。CMOS產(chǎn)品是外延片的應(yīng)用領(lǐng)域，并被IC制造商用于不可恢復(fù)器件工藝，包括微處理器和邏輯芯片以及存儲器應(yīng)用方面的閃速存儲器和DRAM（動態(tài)隨機存取存儲器）。分立半導(dǎo)體用于制造要求具有精密Si特性的元件。“奇異”（exotic）半導(dǎo)體類包含一些特種產(chǎn)品,它們要用非Si材料，其中許多要用化合物半導(dǎo)體材料并入外延層中。掩埋層半導(dǎo)體利用雙極晶體管元件內(nèi)重摻雜區(qū)進行物理隔離，這也是在外延加工中沉積的。

目前，200mm晶片中，外延片占1/3。2000年，包括掩埋層在內(nèi)，用于邏輯器件的CMOS占所有外延片的69[%]，DRAM占11[%]，分立器件占20[%]。到2005年，CMOS邏輯將占55[%]，DRAM占30[%]，分立器件占15[%]。

工藝流程

襯底-結(jié)構(gòu)設(shè)計-緩沖層生長-N型GaN層生長-多量子阱發(fā)光層生-P型GaN層生長-退火-檢測（光熒光、X射線）-外延片

外延片-設(shè)計、加工掩模版-光刻-離子刻蝕-N型電極（鍍膜、退火、刻蝕）-P型電極（鍍膜、退火、刻蝕）-劃片-芯片分檢、分級

具體介紹如下：

固定：將單晶硅棒固定在加工臺上。

切片：將單晶硅棒切成具有精確幾何尺寸的薄硅片。此過程中產(chǎn)生的硅粉采用水淋，產(chǎn)生廢水和硅渣。

退火：雙工位熱氧化爐經(jīng)氮氣吹掃后，用紅外加熱至300~500℃，硅片表面和氧氣發(fā)生反應(yīng)，使硅片表面形成二氧化硅保護層。

倒角：將退火的硅片進行修整成圓弧形，防止硅片邊緣破裂及晶格缺陷產(chǎn)生，增加磊晶層及光阻層的平坦度。此過程中產(chǎn)生的硅粉采用水淋，產(chǎn)生廢水和硅渣。

分檔檢測：為保證硅片的規(guī)格和質(zhì)量，對其進行檢測。此處會產(chǎn)生廢品。

研磨：用磨片劑除去切片和輪磨所造的鋸痕及表面損傷層，有效改善單晶硅片的曲度、平坦度與平行度，達到一個拋光過程可以處理的規(guī)格。此過程產(chǎn)生廢磨片劑。

清洗：通過有機溶劑的溶解作用，結(jié)合超聲波清洗技術(shù)去除硅片表面的有機雜質(zhì)。此工序產(chǎn)生有機廢氣和廢有機溶劑。

RCA清洗：通過多道清洗去除硅片表面的顆粒物質(zhì)和金屬離子。

具體工藝流程如下：

SPM清洗：用H2SO4溶液和H2O2溶液按比例配成SPM溶液，SPM溶液具有很強的氧化能力，可將金屬氧化后溶于清洗液，并將有機污染物氧化成CO2和H2O。用SPM清洗硅片可去除硅片表面的有機污物和部分金屬。此工序會產(chǎn)生硫酸霧和廢硫酸。

DHF清洗：用一定濃度的氫氟酸去除硅片表面的自然氧化膜，而附著在自然氧化膜上的金屬也被溶解到清洗液中，同時DHF抑制了氧化膜的形成。此過程產(chǎn)生氟化氫和廢氫氟酸。

APM清洗：APM溶液由一定比例的NH4OH溶液、H2O2溶液組成，硅片表面由于H2O2氧化作用生成氧化膜（約6nm呈親水性），該氧化膜又被NH4OH腐蝕，腐蝕后立即又發(fā)生氧化，氧化和腐蝕反復(fù)進行，因此附著在硅片表面的顆粒和金屬也隨腐蝕層而落入清洗液內(nèi)。此處產(chǎn)生氨氣和廢氨水。

HPM清洗：由HCl溶液和H2O2溶液按一定比例組成的HPM，用于去除硅表面的鈉、鐵、鎂和鋅等金屬污染物。此工序產(chǎn)生氯化氫和廢鹽酸。

DHF清洗：去除上一道工序在硅表面產(chǎn)生的氧化膜。磨片檢測：檢測經(jīng)過研磨、RCA清洗后的硅片的質(zhì)量，不符合要求的則從新進行研磨和RCA清洗。

腐蝕A/B：經(jīng)切片及研磨等機械加工后，晶片表面受加工應(yīng)力而形成的損傷層，通常采用化學(xué)腐蝕去除。腐蝕A是酸性腐蝕，用混酸溶液去除損傷層，產(chǎn)生氟化氫、NOX和廢混酸；腐蝕B是堿性腐蝕，用氫氧化鈉溶液去除損傷層，產(chǎn)生廢堿液。本項目一部分硅片采用腐蝕A，一部分采用腐蝕B。分檔監(jiān)測：對硅片進行損傷檢測，存在損傷的硅片重新進行腐蝕。

粗拋光：使用一次研磨劑去除損傷層，一般去除量在10~20um。此處產(chǎn)生粗拋廢液。

精拋光：使用精磨劑改善硅片表面的微粗糙程度，一般去除量1um以下，從而的到高平坦度硅片。產(chǎn)生精拋廢液。

檢測：檢查硅片是否符合要求，如不符合則從新進行拋光或RCA清洗。檢測：查看硅片表面是否清潔，表面如不清潔則從新刷洗，直至清潔。

包裝：將單晶硅拋光片進行包裝。

芯片到制作成小芯片之前，是一張比較大的外延片，所以芯片制作工藝有切割這快，就是把外延片切割成小芯片。它應(yīng)該是LED制作過程中的一個環(huán)節(jié)

LED晶片的作用：

LED晶片為LED的主要原材料，LED主要依靠晶片來發(fā)光。

LED晶片的組成：主要有砷(AS)鋁(AL)鎵(Ga)銦(IN)磷(P)氮(N)鍶(Ｓi)這幾種元素中的若干種組成。

LED晶片的分類

1、按發(fā)光亮度分：

A、一般亮度：R﹑H﹑G﹑Y﹑E等

B、高亮度：VG﹑VY﹑SR等

C、超高亮度：UG﹑UY﹑UR﹑UYS﹑URF﹑UE等

D、不可見光(紅外線)：R﹑SIR﹑VIR﹑HIR

E、紅外線接收管：PT

F、光電管：PD

2、按組成元素分：

A、二元晶片(磷﹑鎵)：H﹑G等

B、三元晶片（磷﹑鎵﹑砷）：SR﹑HR﹑UR等

C、四元晶片(磷﹑鋁﹑鎵﹑銦)：SRF﹑HRF﹑URF﹑VY﹑HY﹑UY﹑UYS﹑UE﹑HE、UG

LED晶片特性表：

LED晶片型號發(fā)光顏色組成元素波長（nm）晶片型號發(fā)光顏色組成元素波長（nm）

SBI藍色lnGaN/sic430HY超亮黃色AlGalnP595

SBK較亮藍色lnGaN/sic468SE高亮桔色GaAsP/GaP610

DBK較亮藍色GaunN/Gan470HE超亮桔色AlGalnP620

SGL青綠色lnGaN/sic502UE最亮桔色AlGalnP620

DGL較亮青綠色LnGaN/GaN505URF最亮紅色AlGalnP630

DGM較亮青綠色lnGaN523E桔色GaAsP/GaP635

PG純綠GaP555R紅色GAaAsP655

SG標(biāo)準(zhǔn)綠GaP560SR較亮紅色GaA/AS660

G綠色GaP565HR超亮紅色GaAlAs660

VG較亮綠色GaP565UR最亮紅色GaAlAs660

UG最亮綠色AIGalnP574H高紅GaP697

Y黃色GaAsP/GaP585HIR紅外線GaAlAs850

VY較亮黃色GaAsP/GaP585SIR紅外線GaAlAs880

UYS最亮黃色AlGalnP587VIR紅外線GaAlAs940

UY最亮黃色AlGalnP595IR紅外線GaAs940

襯底材料

襯底材料是半導(dǎo)體照明產(chǎn)業(yè)技術(shù)發(fā)展的基石。不同的襯底材料，需要不同的外延生長技術(shù)、芯片加工技術(shù)和器件封裝技術(shù)，襯底材料決定了半導(dǎo)體照明技術(shù)的發(fā)展路線。襯底材料的選擇主要取決于以下九個方面：

[1]結(jié)構(gòu)特性好，外延材料與襯底的晶體結(jié)構(gòu)相同或相近、晶格常數(shù)失配度小、結(jié)晶性能好、缺陷密度小；

[2]界面特性好，有利于外延材料成核且黏附性強；

[3]化學(xué)穩(wěn)定性好，在外延生長的溫度和氣氛中不容易分解和腐蝕；

[4]熱學(xué)性能好，包括導(dǎo)熱性好和熱失配度?。?/P>

[5]導(dǎo)電性好，能制成上下結(jié)構(gòu)；

[6]光學(xué)性能好，制作的器件所發(fā)出的光被襯底吸收小；

[7]機械性能好，器件容易加工，包括減薄、拋光和切割等；

[8]價格低廉；

[9]大尺寸，一般要求直徑不小于2英吋。

襯底的選擇要同時滿足以上九個方面是非常困難的。所以，目前只能通過外延生長技術(shù)的變更和器件加工工藝的調(diào)整來適應(yīng)不同襯底上的半導(dǎo)體發(fā)光器件的研發(fā)和生產(chǎn)。用于氮化鎵研究的襯底材料比較多，但是能用于生產(chǎn)的襯底目前只有二種，即藍寶石Al2O3和碳化硅SiC襯底。表2-4對五種用于氮化鎵生長的襯底材料性能的優(yōu)劣進行了定性比較。

表2-4：用于氮化鎵生長的襯底材料性能優(yōu)劣比較

襯底材料Al2O3SiCSiZnOGaN

晶格失配度差中差良優(yōu)

界面特性良良良良優(yōu)

化學(xué)穩(wěn)定性優(yōu)優(yōu)良差優(yōu)

導(dǎo)熱性能差優(yōu)優(yōu)優(yōu)優(yōu)

熱失配度差中差差優(yōu)

導(dǎo)電性差優(yōu)優(yōu)優(yōu)優(yōu)

光學(xué)性能優(yōu)優(yōu)差優(yōu)優(yōu)

機械性能差差優(yōu)良中

價格中高低高高

尺寸中中大中小

1）氮化鎵襯底

用于氮化鎵生長的最理想的襯底自然是氮化鎵單晶材料，這樣可以大大提高外延膜的晶體質(zhì)量，降低位錯密度，提高器件工作壽命，提高發(fā)光效率，提高器件工作電流密度。可是，制備氮化鎵體單晶材料非常困難，到目前為止尚未有行之有效的辦法。有研究人員通過HVPE方法在其他襯底(如Al2O3、SiC、LGO)上生長氮化鎵厚膜，然后通過剝離技術(shù)實現(xiàn)襯底和氮化鎵厚膜的分離，分離后的氮化鎵厚膜可作為外延用的襯底。這樣獲得的氮化鎵厚膜優(yōu)點非常明顯，即以它為襯底外延的氮化鎵薄膜的位錯密度，比在Al2O3、SiC上外延的氮化鎵薄膜的位錯密度要明顯低；但價格昂貴。因而氮化鎵厚膜作為半導(dǎo)體照明的襯底之用受到限制。

氮化鎵襯底生產(chǎn)技術(shù)和設(shè)備：

缺乏氮化鎵襯底是阻礙氮化物研究的主要困難之一，也是造成氮化鎵發(fā)光器件進展目前再次停頓的根本原因！雖然有人從高壓熔體中得到了單晶氮化鎵體材料，但尺寸很小，無法使用，目前主要是在藍寶石、硅、碳化硅襯底上生長。雖然在藍寶石襯底上可以生產(chǎn)出中低檔氮化鎵發(fā)光二極管產(chǎn)品，但產(chǎn)品只能在氮化鎵襯底上生產(chǎn)。目前只有日本幾家公司能夠提供氮化鎵襯底，價格奇貴，一片2英寸襯底價格約1萬美元，這些襯底全部由HVPE（氫化物氣相外延）生產(chǎn)。

HVPE是二十世紀六七十年代的技術(shù)，由于它生長速率很快（一分鐘一微米以上），不能生長量子阱、超晶格等結(jié)構(gòu)材料，在八十年代被MOCVD、MBE等技術(shù)淘汰。然而，恰是由于它生長速率快，可以生長氮化鎵襯底，這種技術(shù)又在“死灰復(fù)燃”并受到重視?？梢詳喽?，氮化鎵襯底肯定會繼續(xù)發(fā)展并形成產(chǎn)業(yè)化，HVPE技術(shù)必然會重新受到重視。與高壓提拉法相比，HVPE方法更有望生產(chǎn)出可實用化的氮化鎵襯底。不過國際上目前還沒有商品化的設(shè)備出售。

目前國內(nèi)外研究氮化鎵襯底是用MOCVD和HVPE兩臺設(shè)備分開進行的。即先用MOCVD生長0.1～1微米的結(jié)晶層，再用HVPE生長約300微米的氮化鎵襯底層，將原襯底剝離、拋光等。由于生長一個襯底需要在兩個生長室中分兩次生長，需要降溫、生長停頓、取出等過程，這樣不可避免地會出現(xiàn)以下問題：①樣品表面粘污；②生長停頓、降溫造成表面再構(gòu)，影響下次生長。

今后研發(fā)的重點仍是尋找合適的生長方法，大幅度降低其成本。

2）Al2O3襯底

目前用于氮化鎵生長的最普遍的襯底是Al2O3，其優(yōu)點是化學(xué)穩(wěn)定性好、不吸收可見光、價格適中、制造技術(shù)相對成熟；不足方面雖然很多，但均一一被克服，如很大的晶格失配被過渡層生長技術(shù)所克服，導(dǎo)電性能差通過同側(cè)P、N電極所克服，機械性能差不易切割通過激光劃片所克服，很大的熱失配對外延層形成壓應(yīng)力因而不會龜裂。但是，差的導(dǎo)熱性在器件小電流工作下沒有暴露出明顯不足，卻在功率型器件大電流工作下問題十分突出。

國內(nèi)外Al2O3襯底今后的研發(fā)任務(wù)是生長大直徑的Al2O3單晶，向4-6英吋方向發(fā)展，以及降低雜質(zhì)污染和提高表面拋光質(zhì)量。

3）SiC襯底

除了Al2O3襯底外，目前用于氮化鎵生長襯底就是SiC，它在市場上的占有率位居第二，目前還未有第三種襯底用于氮化鎵LED的商業(yè)化生產(chǎn)。它有許多突出的優(yōu)點，如化學(xué)穩(wěn)定性好、導(dǎo)電性能好、導(dǎo)熱性能好、不吸收可見光等，但不足方面也很突出，如價格太高、晶體質(zhì)量難以達到Al2O3和Si那么好、機械加工性能比較差。另外，SiC襯底吸收380nm以下的紫外光，不適合用來研發(fā)380nm以下的紫外LED。由于SiC襯底優(yōu)異的的導(dǎo)電性能和導(dǎo)熱性能，不需要象Al2O3襯底上功率型氮化鎵LED器件采用倒裝焊技術(shù)解決散熱問題，而是采用上下電極結(jié)構(gòu)，可以比較好的解決功率型氮化鎵LED器件的散熱問題，故在發(fā)展中的半導(dǎo)體照明技術(shù)領(lǐng)域占有重要地位。

目前國際上能提供商用的高質(zhì)量的SiC襯底的廠家只有美國CREE公司。國內(nèi)外SiC襯底今后研發(fā)的任務(wù)是大幅度降低制造成本和提高晶體結(jié)晶質(zhì)量。

4）Si襯底

在硅襯底上制備發(fā)光二極管是本領(lǐng)域里夢寐以求的一件事情，因為一旦技術(shù)獲得突破，外延生長成本和器件加工成本將大幅度下降。Si片作為GaN材料的襯底有許多優(yōu)點，如晶體質(zhì)量高，尺寸大，成本低，易加工，良好的導(dǎo)電性、導(dǎo)熱性和熱穩(wěn)定性等。然而，由于GaN外延層與Si襯底之間存在巨大的晶格失配和熱失配，以及在GaN的生長過程中容易形成非晶氮化硅，所以在Si襯底上很難得到無龜裂及器件級質(zhì)量的GaN材料。另外，由于硅襯底對光的吸收嚴重，LED出光效率低。目前國外文獻報導(dǎo)的硅襯底上藍光LED光功率水平是420mW，是德國Magdeburg大學(xué)研制的。日本Nagoya技術(shù)研究所今年在上海國際半導(dǎo)體照明論壇上報道的硅襯底上藍光LED光輸出功率為18mW。

5）ZnO襯底

之所以ZnO作為GaN外延的候選襯底，是因為他們兩者具有非常驚人的相似之處。兩者晶體結(jié)構(gòu)相同、晶格失配度非常小，禁帶寬度接近（能帶不連續(xù)值小，接觸勢壘?。?。但是，ZnO作為GaN外延襯底的致命的弱點是在GaN外延生長的溫度和氣氛中容易分解和被腐蝕。目前，ZnO半導(dǎo)體材料尚不能用來制造光電子器件或高溫電子器件，主要是材料質(zhì)量達不到器件水平和P型摻雜問題沒有真正解決，適合ZnO基半導(dǎo)體材料生長的設(shè)備尚未研制成功。今后研發(fā)的重點是尋找合適的生長方法。

但是，ZnO本身是一種有潛力的發(fā)光材料。ZnO的禁帶寬度為3.37eV，屬直接帶隙，和GaN、SiC、金剛石等寬禁帶半導(dǎo)體材料相比，它在380nm附近紫光波段發(fā)展?jié)摿?，是高效紫光發(fā)光器件、低閾值紫光半導(dǎo)體激光器的候選材料。這是因為，ZnO的激子束縛能高達60meV，比其他半導(dǎo)體材料高得多（GaN為26meV），因而具有比其他材料更高的發(fā)光效率。

另外ZnO材料的生長非常安全，可以采用沒有任何毒性的水為氧源，用有機金屬鋅為鋅源。因而，今后ZnO材料的生產(chǎn)是真正意義上的綠色生產(chǎn)，原材料鋅和水資源豐富、價格便宜，有利于大規(guī)模生產(chǎn)和持續(xù)發(fā)展。

發(fā)展趨勢

從LED工作原理可知，外延片材料是LED的核心部分，事實上，LED的波長、亮度、正向電壓等主要光電參數(shù)基本上取決于外延片材料。外延片技術(shù)與設(shè)備是外延片制造技術(shù)的關(guān)鍵所在，金屬有機物化學(xué)氣相淀積(Metal-OrganicChemicalVaporDeposition，簡稱MOCVD)技術(shù)生長III-V族，II-VI族化合物及合金的薄層單晶的主要方法。下面是關(guān)于LED未來外延片技術(shù)的一些發(fā)展趨勢。

1.改進兩步法生長工藝

目前商業(yè)化生產(chǎn)采用的是兩步生長工藝，但一次可裝入襯底數(shù)有限，6片機比較成熟，20片左右的機臺還在成熟中，片數(shù)較多后導(dǎo)致外延片均勻性不夠。發(fā)展趨勢是兩個方向：一是開發(fā)可一次在反應(yīng)室中裝入更多個襯底外延片生長，更加適合于規(guī)?；a(chǎn)的技術(shù)，以降低成本；另外一個方向是高度自動化的可重復(fù)性的單片設(shè)備。

2.氫化物汽相外延片(HVPE)技術(shù)

采用這種技術(shù)可以快速生長出低位元錯密度的厚膜，可以用做采用其他方法進行同質(zhì)外延片生長的襯底。并且和襯底分離的GaN薄膜有可能成為體單晶GaN芯片的替代品。HVPE的缺點是很難精確控制膜厚，反應(yīng)氣體對設(shè)備具有腐蝕性，影響GaN材料純度的進一步提高。

3.選擇性外延片生長或側(cè)向外延片生長技術(shù)

采用這種技術(shù)可以進一步減少位元錯密度，改善GaN外延片層的晶體品質(zhì)。首先在合適的襯底上(藍寶石或碳化硅)沉積一層GaN，再在其上沉積一層多晶態(tài)的SiO掩膜層，然后利用光刻和刻蝕技術(shù)，形成GaN視窗和掩膜層條。在隨后的生長過程中，外延片GaN首先在GaN視窗上生長，然后再橫向生長于SiO條上。

4.懸空外延片技術(shù)(Pendeo-epitaxy)

采用這種方法可以大大減少由于襯底和外延片層之間晶格失配和熱失配引發(fā)的外延片層中大量的晶格缺陷，從而進一步提高GaN外延片層的晶體品質(zhì)。首先在合適的襯底上(6H-SiC或Si)采用兩步工藝生長GaN外延片層。然后對外延片膜進行選區(qū)刻蝕，一直深入到襯底。這樣就形成了GaN/緩沖層/襯底的柱狀結(jié)構(gòu)和溝槽交替的形狀。然后再進行GaN外延片層的生長，此時生長的GaN外延片層懸空于溝槽上方，是在原GaN外延片層側(cè)壁的橫向外延片生長。采用這種方法，不需要掩膜，因此避免了GaN和醃膜材料之間的接觸。

5.研發(fā)波長短的UVLED外延片材料

它為發(fā)展UV三基色螢光粉白光LED奠定扎實基礎(chǔ)?？晒︰V光激發(fā)的高效螢光粉很多，其發(fā)光效率比目前使用的YAG：Ce體系高許多，這樣容易使白光LED上到新臺階。

6.開發(fā)多量子阱型芯片技術(shù)

多量子阱型是在芯片發(fā)光層的生長過程中，摻雜不同的雜質(zhì)以制造結(jié)構(gòu)不同的量子阱，通過不同量子阱發(fā)出的多種光子復(fù)合直接發(fā)出白光。該方法提高發(fā)光效率，可降低成本，降低包裝及電路的控制難度；但技術(shù)難度相對較大。

7.開發(fā)「光子再迴圈」技術(shù)

日本Sumitomo在1999年1月研制出ZnSe材料的白光LED。其技術(shù)是先在ZnSe單晶基底上生長一層CdZnSe薄膜，通電后該薄膜發(fā)出的藍光與基板ZnSe作用發(fā)出互補的黃光，從而形成白光光源。美國Boston大學(xué)光子研究中心用同樣的方法在藍光GaN-LED上疊放一層AlInGaP半導(dǎo)體復(fù)合物，也生成了白光。